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信田公司SHINODA工业流体控制系统解决方案|电子半导体行业

来源: | 作者:信田 | 发布时间 :2026-06-19 | 57 次浏览: | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ | 分享到:

信田公司SHINODA电子半导体工业流体控制系统解决方案专注于半导体制造中的超纯水(UPW)制备、输送、终端精制及相关化学品流体控制,满足先进制程(<7nm及以下)对颗粒、离子、有机物、微生物和溶解氧等污染物极严苛的控制要求,确保晶圆清洗、蚀刻、光刻、CMP等工艺的高良率。

1. 整体方案概述SHINODA方案以超纯水为核心,覆盖从源头制备到终端使用点的全链路流体控制,包括蚀刻液过滤、化学品配制与稀释用水、超纯水输配系统(分配环路)以及POU(Point-of-Use,使用点)精制系统。系统强调低析出、低颗粒、低TOC(总有机碳)、低金属离子和稳定流体控制,结合过滤、UV、离子交换等技术,实现实时水质保障和智能化监控。2. 核心模块详细描述


  • 超纯水(UPW)制备系统
    采用多级处理工艺:预处理(多介质/砂滤 + 活性炭)→ 反渗透(RO,双级或多级)→ 电去离子(EDI)→ 紫外氧化(TOC分解)→ 混床离子交换或抛光柱 → 终端超滤/微滤。
    输出水质典型达到18.2 MΩ·cm电阻率、TOC <1-2 μg/L、颗粒(>0.05μm)近零、金属离子ppt级,满足半导体晶圆清洗和化学品稀释需求。系统支持高回收率和低能耗设计。

  • 蚀刻过滤(Etching Filtration)
    针对湿法蚀刻(HF、BOE、磷酸等腐蚀性溶液)的专用过滤模块。
    使用耐强酸/碱的高精度PTFE、PES或UPE膜过滤器 + 深度过滤技术,去除颗粒、凝胶和污染物,防止蚀刻不均或晶圆缺陷。
    结合POU过滤,确保蚀刻液纯度和浓度稳定性,延长药液寿命并降低缺陷密度。

  • 化学品配制与稀释用水
    专用高纯水作为稀释介质和配制溶剂,用于配置蚀刻液、清洗液、显影液、CMP浆料等。
    系统提供稳定流量、温度和压力的超纯水接口,避免引入二次污染。集成精密配比控制和在线监测(电导率、TOC、颗粒),保障化学品浓度一致性。

  • 超纯水输配系统(分配环路 / Distribution Loop)
    采用环形(Loop)管道设计(常用PFA或PVDF高纯管材),实现连续循环流动,防止死区和微生物滋生。
    关键控制:恒温(通常25°C±0.5°C或更严)、恒压、流速优化;配备在线监测仪表(电阻率、TOC、DO溶解氧、颗粒计数器);设置回流处理单元,维持全系统水质稳定。
    支持多楼层、大规模Fab分配,强调低析出和低颗粒脱落。

  • 终端使用点(POU)精制系统(重点模块)
    安装在工艺设备入口或使用点,实现“最终把关”精制。核心包含:  

    • 终端过滤:亚微米至纳米级膜过滤器(0.01-0.1μm UF或更精密),去除残余颗粒和胶体。  

    • UV系统:185nm UV用于TOC光氧化分解(将有机物分解为CO₂和H₂O),254nm UV用于杀菌消毒。  

    • TOC分解系统:专用UV + 催化或离子交换组合,进一步降低TOC至<1 μg/L,防止有机污染影响光刻或清洗。  

    • 除金属离子系统:抛光混床离子交换树脂、选择性螯合树脂或EDI抛光单元,针对性去除痕量金属(如Fe、Cu、Na等)至ppt级,避免金属沾污导致的电气缺陷。

POU系统响应快速、模块化设计,便于维护和扩展,支持实时水质反馈和自动旁通/报警。方案优势与特点

  • 全链路污染控制:从源头到POU多重屏障,颗粒、离子、有机物、微生物、溶解气体全面达标。

  • 流体控制精准:集成阀门、泵、传感器和自动化系统,实现流量、压力、温度的精确调控。

  • 可靠性与效率:低压降设计、长寿命滤材、状态监控(压差、在线仪表),降低能耗和停机风险。

  • 半导体适配性:特别优化蚀刻、清洗等高耗水/高纯度环节,支持先进制程对低DO(溶解氧)和低AMC的需求。

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服务范围:上海、苏州、长三角/珠三角半导体园区


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该解决方案适用于逻辑芯片、存储器、Foundry等半导体Fab的水处理与流体管理系统。如需具体技术参数、流程图、与其他厂商对比或定制细节,可提供更多XT SHINODA官方资料进一步细化。